設備紹介 総合技術研究所

設備一覧

先端的、先進的研究遂行のために、最先端の高機能研究設備を備えています。
愛知工業大学教員との共同研究、受託研究などに研究設備を活用しています。
電子顕微鏡など
透過型分析電子顕微鏡一式
  • 透過型分析電子顕微鏡一式
  • 設置室:102
  • 連絡先:電気学科准教授 岩田 博之(内線:1405)
    E-mail:iwata@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JEM-2010

200kV、EDS機能、Gatan G832 Orius CCDカメラ
格子分解能:0.14nm

走査透過電子顕微鏡(STEM/TEM)
  • 設置室:107
  • 連絡先:電気学科准教授 岩田 博之(内線:1405)
    E-mail:iwata@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JEM-2100PLUS

200kV、STEM機能、100mm2高感度EDS、3Dトモグラフィー機能、sCMOSカメラ
格子分解能:0.14nm

走査型電子顕微鏡I(SEM)
  • 走査型電子顕微鏡I(SEM)
  • 設置室:110
  • 連絡先:機械学科教授 高木 誠(内線:2311)
    E-mail:m-takagi@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JSM-5600V

電子ビームを試料表面上で走査させ、発生した二次電子を映像化することでマイクロオーダーでの形状観察及び組成分析が可能です。

走査型電子顕微鏡II(SEM)
  • 走査型電子顕微鏡II(SEM)
  • 設置室:409
  • 連絡先:機械学科教授 松室 昭仁(内線:2314)
    E-mail:matsumuro@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JSM-6700F

試料に電子線を照射し表面形状観察と成分分析を行う装置です。 試料に電子線を照射すると試料表面から二次電子が発生し、その発生量を輝度の信号に変換すると像が得られます。

分解能:1.0nm
倍率:×25~650,000

電界放射型走査電子顕微鏡
  • 電界放射型走査電子顕微鏡
  • 設置室:110
  • 連絡先:応用化学科教授 小林 雄一(内線:2204)
    E-mail:y-kobayashi@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JEOL(JSM-6335FM)

固体試料表面の微細構造を高分解能観察できます。倍率は50万倍まで可能です。

走査プローブ顕微鏡
  • 走査プローブ顕微鏡
  • 設置室:208
  • 連絡先:電気学科准教授 岩田 博之(内線:1405)
    E-mail:iwata@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:SIIナノテクノロジー株式会社 SPI-4000

AFM、DFM機能
原子分解能

原子間力顕微鏡(走査プローブ顕微鏡)
  • 原子間力顕微鏡(走査プローブ顕微鏡)
  • 設置室:308
  • 連絡先:機械学科教授 松室 昭仁(内線:2314)
    E-mail:matsumuro@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JSPM-5200

プローブ(先端を尖らせた探針)を用いて物質の表面をなぞるように動かし、プローブと試料間に作用する原子間力等の物理量を検出し、表面の三次元形状を原子分解能で観察する顕微鏡です。 ナノレベルの制御が可能なため、走査可能範囲は数十µm以下、高さは10µm以下となっています。

デジタルマイクロスコープ
  • デジタルマイクロスコープ
  • 製造元・型式:ライカマイクロシステムズ株式会社 DVM5000

材料や部品の形状を50~7000倍で観察し、デジタル画像として記録できます。それをもとに3D立体像なども作成可能です。

核磁気共鳴装置
核磁気共鳴装置
  • 核磁気共鳴装置
  • 設置室:101
  • 連絡先:応用化学教授 森田 靖(内線:2208
  • E-mail:moritay@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 JNM-ECA500 FT NMR

オートチューン5mmFG/THチューナブルプローブ
観測核:1H、19F、15N~31P

温度可変範囲:-100~+150℃
勾配磁場出力:0.3T/m

X線回折装置
X線回折装置II
  • X線回折装置II
  • 設置室:409
  • 連絡先:機械学科教授 松室 昭仁(内線:2314)
  • E-mail:matsumuro@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:PHILIPS(株式会社フィリップスエレクトロニクスジャパン) PW3050

試料にX線を照射することで生じる回折現象を利用したもので、回折角と強度を測定することで試料の同定や結晶構造を分析できる装置です。

全自動X線回析装置
  • 全自動X線回析装置
  • 設置室:111
  • 連絡先:応用化学科教授 小林 雄一(内線:2204)
    E-mail:y-kobayashi@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:理学電機株式会社 RINT2500V/PC

粉末X線回析、全自動、ゴニオメーター(標準仕様)

表面分析装置
配向性有機膜極表面分析装置
  • 配向性有機膜極表面分析装置
  • 設置室:103
  • 連絡先:電気学科准教授 五島 敬史郎(内線:2105)
    E-mail:ke-goshima@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:アルバック・ファイ株式会社 VT-SPM25AIO
  • 仕様・性能
    • 走査方式:シングルチューブスキャナー
    • 操作モード:STM、ビームヂィフレクションAFM
    • 走査範囲(X、Y、Z):10µm×10µm×1µm
    • z軸分解能:0.01 nm(STM)
    • 除振機構:スプリングサスペンション及びエディーカレントダンピング
  • 用途:薄膜表面の微細構造解析
  • 特徴:物質表面の構造を原子レベル解像度で測定します。
  • 利用上のメリット:超高真空下で、物質表面解析が可能です。
膜試料作製・評価装置
薄膜試料作製装置
  • 薄膜試料作製装置
  • 薄膜試料作製装置
  • 設置室:208
  • 連絡先:電気学科准教授 岩田 博之(内線:1405)
    E-mail:iwata@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本電子株式会社 EM-09100IS
  • 仕様
    • イオン加速電圧:1~8kV
    • 傾斜角:最大±6(0.1ステップ)
    • ビーム径:500μm(FWHM)
    • エッチングレート:5μm/min(加速電圧:8kV、Si換算)
    • 使用ガス:アルゴンガス
    • 試料サイズ:2.8mm(長さ)×0.5mm(幅)×0.1mm(厚さ)
    • 圧力測定:ペニング真空計
    • 主排気装置:ターボ分子ポンプ
    • CCDカメラ内蔵
  • 寸法・質量
    • 本体:500mm(W)×600mm(D)×542mm(H)、63kg
    • ロータリーポンプ:150mm(W)×427mm(D)×230.5mm(H)、16kg
    • 液晶ディスプレイ:326mm(W)×173mm(D)×380mm(H)、3.7kg

透過型電子顕微鏡を用いて結晶状態を高分解能断面観察するための試料加工装置です。
100nm厚の短冊状試料を短時間で作製可能です。

光機能性膜作製・評価装置(高速電子線解析装置含む)
  • 光機能性膜作製・評価装置(高速電子線解析装置含む)
  • 設置室:107
  • 連絡先:電気学科教授 森 竜雄(内線:2001)
    E-mail:t2mori@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本真空技術株式会社 MCS-1000

ターボ分子ポンプ排気速度:1300L/s
真空度:10~8Pa
許容雰囲気温度:0~40度
分子線エピタキシ(MBE:molecular beam epitaxy)法は、薄膜形成、ナノ構造作成において極めて汎用性の高い技術です。現在半導体デバイスプロセスで一般的に用いられている液相成長法、化学分解を利用した気相成長法などに比べて新しい薄膜成長法です。MBE法は物理的気相法(PVD:Physical vapor deposition)の代表的なエピタキシャル成長法で、通常の蒸着法に比べて超高真空中で極めて高精度かつ安定的に、蒸気フラックスや基板温度を制御することができます。PVD法に高品質エピタキシャル膜をもたらしたMBE法は革新的であり、その波及効果は大きいものでした。最近では、MBE法ならびにその周辺技術の向上とともに、液相成長法でつくった薄膜と同程度、あるいはそれ以上の品質の薄膜が得られるようになりました。さらに、従来の薄膜成長法では得られない膜厚の制御性の良さなどのため、新しい電子あるいは光デバイス用薄膜の実現が可能になりました。

物理蒸着装置
  • 物理蒸着装置
  • 設置室:107
  • 連絡先:電気学科准教授 五島 敬史郎(内線:2105)
    E-mail:ke-goshima@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:株式会社島津製作所 SLC-29

金属、無機、有機膜の成膜が可能で、希望の多層膜を作製できます。

レーザ、プラズマ、イオンビーム関連
波長可変OPOレーザ(レーザシステム 小型QスイッチNd:YAGレーザ 他)
  • 波長可変OPOレーザ(レーザシステム 小型QスイッチNd:YAGレーザ 他)
  • 設置室:305
  • 連絡先:電気学科教授 津田 紀生(内線:2102)
    E-mail:n-tsuda@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:Continuum, Electro-Optics Inc. Surelite

繰り返し周波数:10Hz
波長可変範囲:410~2630nm
出力:35mJ/pulse以上(460nm)

有機薄膜の配向及び配列の評価、第三次光学感受率測定用メーカー・フリンジ装置に使用します。有機太陽電池の特性向上に関わる高分子(ポリチオフェン誘導体)の配列、配向の評価のために用います。自然太陽光の波長範囲をカバーし、配向及び配列の評価が可能です。

高温プラズマ装置
  • 高温プラズマ装置
  • 設置室:104
  • 連絡先:機械学科教授 北川 一敬(内線:2309)
    E-mail:kitagawa@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:手製 Huels型DCアーク加熱方式

作動ガス、空気、窒素、炭酸ガスでのマッハ4の気流条件のアーク加熱実験が可能です。発光分光、LIFなどで気流成分、温度を計測できます。

集束イオンビーム装置
  • 集束イオンビーム装置
  • 設置室:409
  • 連絡先:機械学科教授 松室 昭仁(内線:2314)
    E-mail:matsumuro@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:SIIナノテクノロジー株式会社 SMI2050

Gaイオンビームを集束させて照射し、試料表面の原子をはじき飛ばすことにより試料を削ることができます。集束イオンビームは数百nmから数nmまで絞ることができるため、ナノ領域での加工が可能であり、透過型電子顕微鏡用試料作製に応用できます。

分解能:5nm

高機能微量分析・イオンビーム装置
ICP質量分析装置
  • ICP質量分析装置
  • 設置室:113
  • 連絡先:応用化学科教授 手嶋 紀雄(内線:2218)
    E-mail : teshima@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:株式会社パーキンエルマージャパン ELAN 6100

質量範囲:1~270amu
DRC部使用ガス量:0~3ml/分マスフロー制御
溶液中の多元素分析(定量・定性分析)に用います。超高感度な多元素元素分析が可能です。

卓上型四重極 LC/MS/MS
  • 卓上型四重極 LC/MS/MS
  • 設置室:113
  • 連絡先:応用化学科教授 手嶋 紀雄(内線:2218)
    E-mail:teshima@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:ジャスコインタナショナル株式会社 GUATTRO MICRO

電流:10(最大)
電圧:220~240
Hz:50/60
主に有機化合物の多成分分離分析(定量・定性分析)に用います。高選択な有機化合物の分析が可能です。

ラマン分光光度計
  • ラマン分光光度計
  • 設置室:309
  • 連絡先:応用化学科教授 大澤 善美(内線:2217)
    E-mail:ohzawa@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:レニショー社 Reflex532St

物質にレーザ光を照射したときの反射光のうち、ラマン散乱光といわれる光を測定し解析することで、その物質の分子構造を特定する装置です。この装置は顕微式でマッピング機能を持つため、太陽電池に使われるシリコンや、リチウムイオン電池に使われるカーボン材料表面のミクロン領域での結晶構造などが精密に評価できます。

顕微紫外可視近赤外分光光度計
  • 顕微紫外可視近赤外分光光度計
  • 設置室:310
  • 連絡先:電気学科教授 澤木 宣彦(内線:2002)
    E-mail:sawaki@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本分光株式会社 NRS-5100PL

通称:「顕微PL装置」

太陽光は、紫外線から近赤外線にわたる可視光線を含む非常に広い波長範囲の光からなります。本装置では、この波長範囲をカバーする光スペクトルの測定を行います。顕微鏡とCCD検出器を備えているため、光材料や光デバイスのミクロ領域での特性が精密に評価できます。

高機能物性評価装置
光導波特性評価装置
  • 設置室:305
  • 連絡先:電気学科教授 津田 紀生(内線:2102)
    E-mail:n-tsuda@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:手製

光源:波長1064nm、直径5nm、パルス幅5ns、繰り返し周波数
10HzのNd:YAGレーザ
基本波ビームの光強度の調整:ND(Neutral Density)フィルタ
有機半導体薄膜:三次非線形光学特性評価

光スイッチング特性評価装置
  • 光スイッチング特性評価装置
  • 設置室:306
  • 連絡先:電気学科教授 津田 紀生(内線:2102)
    E-mail:n-tsuda@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:手製

光源:波長1064nm、直径5nm、パルス幅5ns、繰り返し周波数10HzのNd:YAGレーザ
基本波ビームの光強度の調整:ND(Neutral Density)フィルタ
スイッチング速度:ナノ秒

電気化学測定システム(電池充放電装置含む)
  • 電気化学測定システム(電池充放電装置含む)
  • 設置室:304
  • 連絡先:応用化学科教授 大澤 善美(内線:2217)
    E-mail:ohzawa@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:株式会社北斗電工 HJ1001SM8A型

性能:10V、1A 電流・電位曲線の測定が可能です。
コンピュータにより自動制御しています。
電池の充放電特性の評価が可能です。

高機能比表面積/細孔分布測定装置
  • 高機能比表面積/細孔分布測定装置
  • 設置室:309
  • 連絡先:応用化学科教授 大澤 善美(内線:2217)
    E-mail:ohzawa@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:Micromeritics アサップ2020マイクロポアシステム 346-60346-02

窒素などのガスを、圧力を変えながら固体表面に吸着させるときの挙動を測定し解析することで、材料の比表面積や細孔分布を求める装置です。高精度圧力制御系を搭載していますので、サブナノ領域のサイズの細孔の分布まで評価することができます。

高精度蒸気吸着量測定装置
  • 高精度蒸気吸着量測定装置
  • 設置室:408
  • 連絡先:総合技術研究所教授 渡邉 藤雄(内線:1421)
    E-mail:watanabf@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:日本ベル株式会社 BELSORP-aqua3

一定温度条件における有機材料/無機材料に対する水蒸気または非腐食性有機蒸気の定容量型吸着量測定装置です。専用のソフトウエアにより吸着量測定、測定データ保存を自動で行うことができます。さらに、解析ソフトウエアにより測定データの解析も可能です。

その他
材料引張試験機
  • 材料引張試験機
  • 設置室:409
  • 連絡先:機械学科教授 高木 誠(内線:2311)
    E-mail:m-takagi@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:Instron Corporation. 4466

クロスヘッドが上下し、試験片に荷重を加えて一定の速度で引っ張ります。これにより降伏点、耐力、引張強さなどの機械的性質のデータを得ることができます。

ガス循環精製装置付バキュームグローブボックス
  • ガス循環精製装置付バキュームグローブボックス
  • 設置室:304
  • 連絡先:応用化学科教授 大澤 善美(内線:2217)
    E-mail:ohzawa@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:株式会社美和製作所 MDB-1B型

ガス精製装置が付いています。雰囲気ガス中の水分除去が可能です。乾燥雰囲気、不活性雰囲気における実験に用います。微量水分をコントロールすることができます。

インピーダンス測定装置
  • インピーダンス測定装置
  • 設置室:304
  • 連絡先:応用化学科教授 大澤 善美(内線:2217)
    E-mail:ohzawa@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:株式会社東洋テクニカ ソーラートロン社1296型

交流測定、解析が可能です。インピーダンスなどの測定、材料の物性評価を行うことができます。

光学顕微鏡用雰囲気高温加熱装置兼ビッカース硬さ試験装置
  • 光学顕微鏡用雰囲気高温加熱装置兼ビッカース硬さ試験装置
  • 設置室:409
  • 連絡先:機械学科教授 高木 誠(内線:2311)
    E-mail:m-takagi@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:ジャパンハイテック株式会社(OLYMPUS製 BX60M)

高温雰囲気中で顕微鏡観察ができます。また、正四角錐形の圧子を平滑な試験面に押し込み、除荷後に残ったくぼみにより材料の硬さを評価することも可能です。

DLTS用真空プローバヘッド
  • DLTS用真空プローバヘッド
  • 連絡先:電気学科教授 徳田 豊(内線:2106)
    E-mail:tokuda@aitech.ac.jp
  • 製造元・型式:NUエコエンジニアリング

仕様:温度可変範囲/700K
真空マニピュレータ×4
高電圧対応(3kV)

本設備は液体窒素温度から500℃という高温までの温度可変機能を有しています。GaNのようなワイドギャップ半導体のトラップ評価に用います。

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